Пры вытворчасці Si і FeSi асноўнай крыніцай Si з'яўляецца SiO2 у выглядзе кварца. Рэакцыі з SiO2 генеруюць газападобны SiO, які далей рэагуе з SiC да Si. Падчас награвання кварц пераўтвараецца ў іншыя мадыфікацыі SiO2 з крыстабалітам у якасці стабільнай высокатэмпературнай фазы. Ператварэнне ў крыстабаліт - гэта павольны працэс. Яго хуткасць была даследавана для некалькіх прамысловых крыніц кварца і, як было паказана, значна адрозніваецца ў розных тыпах кварца. Таксама вывучаліся іншыя адрозненні ў паводзінах падчас награвання паміж гэтымі крыніцамі кварца, такія як тэмпература размякчэння і пашырэнне аб'ёму. Суадносіны кварца і крыстабаліту будзе ўплываць на хуткасць рэакцый з удзелам SiO2. Абмяркоўваюцца прамысловыя наступствы і іншыя наступствы назіранай розніцы паміж тыпамі кварца. У гэтай працы быў распрацаваны новы эксперыментальны метад, і даследаванне некалькіх новых крыніц кварца пацвердзіла раней назіраную вялікую розніцу паміж рознымі крыніцамі. Была вывучана паўтаральнасць дадзеных і даследаваны ўплыў газавай атмасферы. Вынікі папярэдняй працы ўключаны ў якасці асновы для абмеркавання.
Плаўлены кварц валодае выдатнымі тэрмічнымі і хімічнымі ўласцівасцямі ў якасці матэрыялу для тыгля для вырошчвання монакрышталяў з расплаву, а яго высокая чысціня і нізкі кошт робяць яго асабліва прывабным для вырошчвання крышталяў высокай чысціні. Аднак пры вырошчванні некаторых тыпаў крышталяў паміж расплавам і кварцавым тыглям неабходны пласт піралітычнага вугляроднага пакрыцця. У гэтым артыкуле мы апісваем метад нанясення піралітычнага вугляроднага пакрыцця шляхам вакуумнага пераносу пары. Паказана, што метад эфектыўны ў атрыманні адносна аднастайнага пакрыцця ў шырокім дыяпазоне памераў і формаў тыгля. Атрыманае піралітычнае вугляроднае пакрыццё характарызуецца вымярэннямі аптычнага аслаблення. У кожным працэсе нанясення пакрыцця паказана, што таўшчыня пакрыцця набліжаецца да канчатковага значэння з экспанентным хвастом па меры павелічэння працягласці піролізу, а сярэдняя таўшчыня прыблізна лінейна павялічваецца з суадносінамі аб'ёму даступных пароў гексану да плошчы паверхні піралітычнага пакрыцця. Кварцавыя тыглі, пакрытыя гэтым працэсам, былі паспяхова выкарыстаны для вырошчвання монакрышталяў Nal дыяметрам да 2 цаляў, і было выяўлена, што якасць паверхні крышталяў Nal паляпшаецца па меры павелічэння таўшчыні пакрыцця.
Час публікацыі: 29 жніўня 2023 г.