У вытворчасці Si і FeSi асноўнай крыніцай Si з'яўляецца SiO2 у выглядзе кварца.Рэакцыі з SiO2 ствараюць газ SiO, які далей рэагуе з SiC у Si.Падчас награвання кварц ператвараецца ў іншыя мадыфікацыі SiO2 з крыстабалітам у якасці стабільнай высокатэмпературнай фазы.Ператварэнне ў крыстабаліт - павольны працэс.Яго хуткасць была даследавана для некалькіх прамысловых крыніц кварца, і было паказана, што яна значна адрозніваецца ў розных тыпаў кварца.Іншыя адрозненні ў паводзінах падчас награвання паміж гэтымі крыніцамі кварца, такія як тэмпература размякчэння і пашырэнне аб'ёму, таксама былі вывучаны.Стаўленне кварц-крыстабаліт будзе ўплываць на хуткасць рэакцый з удзелам SiO2.Абмяркоўваюцца прамысловыя наступствы і іншыя наступствы назіранай розніцы паміж тыпамі кварца.У ходзе бягучай працы быў распрацаваны новы эксперыментальны метад, а даследаванне некалькіх новых крыніц кварца пацвердзіла назіраныя раней вялікія адрозненні паміж рознымі крыніцамі.Была вывучана паўтаральнасць дадзеных і даследаваны ўплыў газавай атмасферы.Вынікі ранейшай працы ўключаны ў якасці асновы для абмеркавання.
Плаўлены кварц валодае выдатнымі тэрмічнымі і хімічнымі ўласцівасцямі ў якасці матэрыялу для вырошчвання монакрышталяў з расплаву, а яго высокая чысціня і нізкі кошт робяць яго асабліва прывабным для вырошчвання крышталяў высокай чысціні.Аднак пры вырошчванні некаторых тыпаў крышталяў паміж расплавам і кварцавым тыглям неабходны пласт піралітычнага вугляроднага пакрыцця.У гэтым артыкуле мы апісваем метад нанясення піралітычнага вугляроднага пакрыцця з дапамогай вакуумнага транспарту пароў.Паказана, што гэты метад эфектыўны для атрымання адносна аднастайнага пакрыцця на шырокім дыяпазоне памераў і форм тыгля.Атрыманае піралітычнае вугляроднае пакрыццё характарызуецца вымярэннямі аптычнага згасання.У кожным працэсе нанясення пакрыцця паказана, што таўшчыня пакрыцця набліжаецца да канчатковага значэння з экспанентным хвастом па меры павелічэння працягласці піролізу, а сярэдняя таўшчыня прыкладна лінейна павялічваецца з суадносінамі аб'ёму даступнай пары гексану да плошчы паверхні піралізу. пакрыццё.Кварцавыя тыглі, пакрытыя гэтым працэсам, выкарыстоўваліся для паспяховага вырошчвання монакрышталяў Nal дыяметрам да 2 цаляў, і было выяўлена, што якасць паверхні крышталя Nal паляпшаецца па меры павелічэння таўшчыні пакрыцця
Час публікацыі: 29 жніўня 2023 г